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諾獎授予LED照明技術 相關稀有金屬材料受寵

2014年10月11日 9:19 4148次瀏覽 來源:   分類: 其他稀有金屬

  10月7日,瑞典皇家科學院將2014年諾貝爾物理學獎授予了因發(fā)明了“高亮度藍色發(fā)光二極管(LED)”的日本科學家赤崎勇和天野浩以及美籍日裔科學家中村修二,以表彰他們在發(fā)現(xiàn)新型高效、環(huán)境友好型光源方面所作出的貢獻。

 

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  從半導體中產(chǎn)生高亮度藍色光的方法是“光技術領域一場根本性的變革”。藍色LED光一直是技術難題,在1989年才首次研發(fā)成功,而紅色和綠色的LED光30年前就已出現(xiàn)。藍光LED的加入使白光可以以新的方式被創(chuàng)造出來,這樣我們就擁有了更加持久和更加高效的LED燈光代替原來的光源。


  瑞典皇家科學院在宣布今年獲獎名單時說:“LED燈的出現(xiàn),使得我們在傳統(tǒng)光源之外,找到了更持久、更節(jié)能的光源。這項發(fā)明開啟了一場照明革命,白熾燈泡照亮了20世紀,而21世紀將被LED燈照亮。” 與白熾燈、熒光燈相比,LED能耗更低,壽命更長,而且可實現(xiàn)智能化操控,是節(jié)能環(huán)保的“綠色照明”。因此進入市場后,呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。國家半導體照明應用系統(tǒng)工程技術研究中心經(jīng)理楊潔翔介紹,我國2010年的LED產(chǎn)值是700多億元;而到了2013年,全年產(chǎn)值猛增到5000多億元。家庭、辦公、道路等各種場所的照明以及絢爛的景觀燈光,這些市場“主力軍”如今都是LED。


  稀有金屬鎵、銦等材料對LED照明技術的發(fā)展可謂“功不可沒”。目前,LED光源的核心材料主要是稀有金屬鎵(Ga)、銦(In)與砷(AS)、磷(P)的化合物,并且基于寬禁帶半導體材料氮化鎵(GaN)和銦氮化稼(InGaN)的也是最具有商業(yè)應用價值的LED發(fā)光材料。隨著LED光源越來越廣泛應用,大量稀有金屬化合物制成的發(fā)光半導體材料也將迎來更大的需求。據(jù)統(tǒng)計,2013年我國芯片環(huán)節(jié)產(chǎn)值達到105億元,增幅31.5%;產(chǎn)量增幅更是高達61%,其中GaN芯片的產(chǎn)量占比達65%,而以InGaAlP芯片為主的四元系芯片的產(chǎn)量占比為25%,GaAs等其他芯片占比為10%左右。


  據(jù)專家預測,2014年我國LED行業(yè)將延續(xù)2013年上升勢頭,迎來新一輪的增長,預計增長率將達到40%左右。全球LED照明的快速發(fā)展,必將會帶動鎵和銦等稀有半導體金屬需求的快速增長,也會帶動越來越多的企業(yè)和個人關注銦和鎵等稀有金屬。作為全球銦、鎵等稀有金屬交易量和庫存量最大的現(xiàn)貨交易所,泛亞有色金屬交易所在稀有金屬行業(yè)內(nèi)的優(yōu)勢地位也會逐漸凸顯。

責任編輯:李峒峒

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