光谷兩項目引領湖北“硅時代”
2016年12月16日 9:4 12862次瀏覽 來源： 湖北日報 分類： 硅
12月12日，全球領先的半導體設計公司美國新思科技，在武漢未來科技城動建全球研發(fā)武漢產業(yè)園。
另悉，總投資達1600億元的長江存儲器項目，也將于本月在未來科技城動工。這兩大集成電路項目，將引領湖北邁入“硅時代”。
新思科技武漢產業(yè)園，是除美國硅谷總部外，新思科技在全球唯一自購土地建設的產業(yè)園區(qū)，總投資5000萬美元，預計2019年建成投用。其定位為“全球化研發(fā)及集成電路設計軟件培訓基地”。
新思科技全球總裁陳志寬表示，近年來，中國集成電路產業(yè)發(fā)展不斷加快，在武漢建設產業(yè)園，充分顯示了新思科技對湖北市場和人才的高度重視，以及對中國集成電路產業(yè)長期增長的信心。
依托強大的全球研發(fā)體系，新思科技武漢產業(yè)園將開發(fā)世界級的知識產權（IP）產品以及信息安全軟件，并在光谷與硅谷之間架起一座科技互動的橋梁。對提升湖北乃至華中地區(qū)芯片設計行業(yè)競爭力、帶動產業(yè)鏈相關企業(yè)來漢布局、助力中國及亞洲地區(qū)集成電路產業(yè)快速發(fā)展，具有重要意義。
2012年，省委、省政府領導率團訪問新思科技總部，提出“雙城雙谷”戰(zhàn)略計劃。目前，新思科技已在未來科技城設有研發(fā)中心，形成IP產品、軟件與安全產品的開發(fā)與服務能力。
責任編輯：淮金
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