陜西有色光電科技公司氮化硅薄膜沉積工藝取得突破
2017年09月04日 9:1 7355次瀏覽 來(lái)源： 中國(guó)有色金屬報(bào) 分類(lèi)： 重點(diǎn)新聞 作者： 劉碧峰
日前，通過(guò)對(duì)工藝技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)和反復(fù)實(shí)驗(yàn)，陜西有色光電科技有限公司太陽(yáng)能電池PECVD工序取得了關(guān)鍵技術(shù)突破，研發(fā)出沉積三層氮化硅膜的最優(yōu)工藝條件，電池片轉(zhuǎn)化效率提升了0.07%-0.1%，現(xiàn)已導(dǎo)入產(chǎn)線批量生產(chǎn)。
實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，三層氮化硅薄膜的互補(bǔ)作用對(duì)電池片起到了很好的減反射效果，第一層氮化硅膜厚在10nm左右，折射率在2.4-2.6之間，起到了很好的鈍化作用，第二層氮化硅膜厚在30nm左右，折射率在2.0-2.2之間，第三層膜厚在45nm左右，折射率在2.0以?xún)?nèi)，三層膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可使入射的太陽(yáng)光在電池內(nèi)多次折射，最大程度地增加了對(duì)光的吸收，顯著降低了電池表面的光反射，同時(shí)，在實(shí)驗(yàn)的過(guò)程中將三層氮化硅薄膜沉積工藝改為間斷性沉積后，氮化硅薄膜平均等效厚度在80-85nm，等效折射率為2.08-2.15，平均反射率降低了2%，相比兩層膜的連續(xù)性沉積工藝大大提升了氮化硅膜的致密性，提高了氮化硅膜對(duì)電池片的鈍化效果，增大了電池片的開(kāi)路電壓和短路電流，從而既顯著提高了電池片的轉(zhuǎn)換效率，又極大地改善了原來(lái)兩層膜工藝出現(xiàn)的色差問(wèn)題。
光電科技公司電池事業(yè)部工藝技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)堅(jiān)持高標(biāo)準(zhǔn)、嚴(yán)要求的工作理念，聚焦太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝前沿技術(shù)不懈進(jìn)行科技創(chuàng)新，持續(xù)攻關(guān)關(guān)鍵技術(shù)，依托公司擁有的當(dāng)今國(guó)際光伏行業(yè)最先進(jìn)的全自動(dòng)生產(chǎn)線，持續(xù)對(duì)電池產(chǎn)線各道工序進(jìn)行工藝優(yōu)化、技術(shù)升級(jí)，例如5主柵高效單/多晶電池片、無(wú)網(wǎng)結(jié)技術(shù)導(dǎo)入等，從而使得電池片轉(zhuǎn)換效率達(dá)到國(guó)內(nèi)一流水平，各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)第一，得到了國(guó)內(nèi)外客戶(hù)的廣泛認(rèn)可，贏得了良好口碑。
責(zé)任編輯：彭薇
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